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渦輪分子泵應(yīng)用于電子束蒸發(fā)鍍膜
Pfeiffer 渦輪分子泵應(yīng)用于電子束蒸發(fā)鍍膜
電子束蒸鍍是 PVD 薄膜沉積技術(shù)的一種. 與傳統(tǒng)熱阻蒸鍍方式不同, 電子束蒸鍍利用電磁場(chǎng)的配合可以精準(zhǔn)地實(shí)現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材, 使之融化進(jìn)而沉積在基片上. 電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜. 電子束是一種高速的電子流. 電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法, 它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問(wèn)題. 電子束蒸發(fā)廣泛應(yīng)用于家電電器, 鐘表, 燈具, 工藝美術(shù)品, 玩具, 車(chē)燈反光罩, 手機(jī)按鍵外殼以及儀器儀表, 塑料, 玻璃, 陶瓷、磁磚等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層.
電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料, 電子的動(dòng)能轉(zhuǎn)換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發(fā)并成膜. 電子束加熱蒸鍍的特點(diǎn)是能獲得的能量密度, 可達(dá) 109w/cm2, 加熱溫度可達(dá) 3000～6000℃, 可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物; 被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中, 可避免坩堝材料的污染, 制備高純薄膜; 另外, 由于蒸發(fā)物加熱面積小, 因而熱輻射損失減少, 熱效率高
電子束蒸發(fā)鍍膜需要高真空環(huán)境！
電子束蒸發(fā)法是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料, 使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn), 在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法. 常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域. 利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶, 使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰. 最終沉積到目標(biāo)上.
在蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中, 真空鍍膜室的本底真空度要求較高, 一般真空度越高, 腔室內(nèi)雜質(zhì)氣體的量越少, 鍍膜材料在沉積到基片上的過(guò)程中, 與環(huán)境中的雜質(zhì)氣體碰撞變少, 粒子的能量大, 可以在基片上形成更致密均勻的膜, 由于分子泵的無(wú)油和高真空特性, 逐漸取代了有油的擴(kuò)散泵成為的真空系統(tǒng), 上海伯東德國(guó)普發(fā) Pfeiffer 分子泵成功應(yīng)用于此.
上海伯東電子束蒸發(fā)鍍膜客戶案例一: 某大學(xué)微電子學(xué)系, 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300, 用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體材料, 金屬膜, Mn 氧化物膜. 系統(tǒng)主要參數(shù)如下
1. 真空度要求: 5x10-7 mbar
2. 基片尺寸: ≤Ф12英寸
3. 電子槍功率: 5-10KW
4. 襯底溫度：350℃
7. 溫度均勻性：±10℃
7.樣平臺(tái)轉(zhuǎn)速：≤20r/min
8. 坩堝數(shù)量：4
9. 鍍膜均勻性：±5%（Al）
10. 控制系統(tǒng)：PC+PLC全自動(dòng)控制
電子束蒸發(fā)真空系統(tǒng)配置
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| 渦輪分子泵 HiPace 2300 |
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| 全量程真空計(jì) PKR 251 |
Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉(zhuǎn)速 90,000 rpm, 極限真空 1E-11 mbar, 對(duì)小分子氣體具有更高的壓縮比, 實(shí)踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運(yùn)行時(shí)間可以達(dá)到 100,000 小時(shí)! 普發(fā)分子泵提供復(fù)合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應(yīng)用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應(yīng)用 >>
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